第831章芯片进展3
“第一，纳米片晶体管（GAAFET）的刻蚀控制。
我们对纳米片叠层的精度、栅极环绕的控制，极其不稳定，这是良率波动的主要来源之一。”
“第二，高介电常数金属栅极（HKMG）的堆叠精度和均匀性。
新材料的热预算和界面态极其敏感，均匀性偏差导致阈值电压（Vt）漂移严重。”
“第三，也是最致命的，”他的语气几乎带着一丝绝望。
“极紫外（EUV）光刻技术的应用调试。
EUV光源的功率、稳定性，以及配套的光刻胶、掩膜版技术，全部受到最严格的限制，获取极其困难，调试进度几乎停滞。
没有稳定可靠的EUV光刻，很多关键的精细结构无法实现，良率和性能都无从谈起。”
他指着图表上那个刺眼的数字：
“目前MPW试产的综合良率......仍然在25%-30%的区间剧烈波动，最低甚至探至18%。
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